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<p>L'invention a trait à un procédé d'élaboration d'une couche à stockage de charges comprenant des particules métalliques d'une cellule de mémoire, ladite couche consistant en une couche organique comprenant, en surface, lesdites particules métalliques, ledit procédé comprenant les étapes suivantes : - une étape de greffage d'un substrat métallique, semi-conducteur ou électriquement isolant par une couche organique comprenant en surface des groupes aptes à complexer au moins un élément métallique sous forme cationique ; - une étape de mise en contact de ladite couche avec une solution comprenant ledit élément métallique sous forme cationique, moyennant quoi ledit élément métallique est complexé par lesdits groupes susmentionnés ; et - une étape de réduction dudit élément métallique complexé en élément métallique à l'état d'oxydation 0, moyennant quoi l'on obtient des particules métalliques. Application au domaine des cellules de mémoire.</p> |
