| 摘要 |
<p>L'invention concerne un procédé de réalisation d'une hétérostructure comprenant au moins un premier substrat en saphir (120) et un deuxième substrat (110) en un matériau ayant un coefficient de dilatation thermique différent du premier substrat, le procédé comprenant une étape (56) de collage par adhésion moléculaire du deuxième substrat (110) sur le premier substrat en saphir (120). Conformément à l'invention, le procédé comprend, avant le collage des deux substrats, une étape (S1) d'étuvage du premier substrat (120) réalisé à une température comprise entre 100°C et 500°C.</p> |
