| 摘要 |
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Verbindungshalbleiter-LED, umfassend ein Si-Al-Substrat; mindestens eine Schutzschicht, die auf der Ober- und Unterseite des Si-Al-Substrats ausgebildet ist; und eine p-Typ-Halbleiterschicht, eine aktive Schicht und eine n-Typ-Halbleiterschicht, die auf der mindestens einen Schutzschicht, welche auf der Oberseite des Si-Al-Substrats ausgebildet ist, in direkter Folge übereinander geschichtet sind, sowie ein Verfahren zu deren Herstellung.
|
