Abgesenkter Drain- und Sourcebereich in Verbindung mit einer komplexen Silizidherstellung in Transistoren

摘要

Während des Fertigungsprozesses zur Herstellung modernster Transistorelemente wird die Gatehöhe verringert und es wird auch eine abgesenkte Drain- und Sourcekonfiguration in einer gemeinsamen Ätzsequenz vor dem Herstellen entsprechender Metallsilizidgebiete geschaffen. Da die entsprechende Seitenwandabstandshalterstruktur während der Ätzsequenz beibehalten wird, wird die Steuerbarkeit und die Gleichmäßigkeit des Silizidierungsprozesses in der Gateelektrode verbessert, wodurch ein geringes Maß an Schwellwertvariabilität erreicht wird. Des weiteren sorgt die abgesenkte Drain- und Sourcekonfiguration für einen geringeren Gesamtreihenwiderstand und eine bessere Verspannungsübertragungseffizienz.