| 发明名称 |
ZnO-CONTAINING SEMICONDUCTOR LAYER AND DEVICE USING THE SAME |
| 摘要 |
Mg is doped in a ZnO-containing semiconductor layer in a concentration range from 1×1017 cm−3 to 2×1020 cm−3.
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| 申请公布号 |
US2010123129(A1) |
申请公布日期 |
2010.05.20 |
| 申请号 |
US20090611234 |
申请日期 |
2009.11.03 |
| 申请人 |
STANLEY ELECTRIC CO., LTD. |
发明人 |
YAMAMURO TOMOFUMI;KATO HIROYUKI |
| 分类号 |
H01L33/00;H01L21/36;H01L29/22 |
主分类号 |
H01L33/00 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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