| 发明名称 |
Verfahren zur Herstellung von eingebetteten nichtflüchtigen Halbleiterspeicherzellen |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE50115427(D1) |
申请公布日期 |
2010.05.20 |
| 申请号 |
DE2001515427 |
申请日期 |
2001.12.17 |
| 申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
GEHRING, OLIVER;LANGHEINRICH, WOLFRAM |
| 分类号 |
H01L27/105;H01L21/28;H01L21/8246;H01L21/8247 |
主分类号 |
H01L27/105 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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