小尺寸接触孔双极型制造工艺

摘要

本发明揭示了一种1.5μm双极型Bipolar工艺，工艺流程包括在P衬底上进行N型埋层、P型埋层、做外延、OD、隔离、深磷、定义基区、做电阻层、浓硼、发射区、电容、开孔、第一层铝布线、通孔、第二层铝布线、做钝化层的步骤，其特征在于：采用薄外延层；自对准技术；1.5μm的最小孔。采用本发明的技术方案，采用本发明所揭示的1.5μm自对准双层布线15V双极型工艺，解决了1.5μm引线孔开孔，NPN的饱和压降偏高，通孔接触电阻大和衬底PNP管的CE击穿电压偏低等难题从而满足客户对一种中压、高频且芯片面积很小的高性能集成电路的需求。

主权项

一种小尺寸接触孔双极型制造工艺，包括以下步骤：在P型衬底上制造N型埋层；在P型衬底上制造P型埋层；在P型衬底上外延生长，生成N型外延层；在N型外延层上制作氧化层；光刻、带胶注入硼离子、去胶；在N型外延层上制作深P阱，深P阱由所述的带胶注入硼离子而形成；在N型外延层上深磷注入，形成接触到N型埋层的DN阱；在N型埋层上方的N型外延层上制作基区SP；在N型外延层上制作电阻层；在深P阱上浓硼注入，形成浓硼区DB；在基区SP上制作发射区SN；进行光刻和氮化硅沉积；在浓硼区DB和发射区SN上开孔，以形成接触孔；在所开的孔上进行第一层铝布线；在第一层铝布线上制造通孔；在通孔上进行第二层铝布线；制作钝化层；其特征在于，所述接触孔尺寸为1.5微米×1.5微米，发射结的结深是0.3微米；所有的杂质注入都用厚氧化层作阻挡以实现自对准并且采用SOG平坦化工艺。