半导体装置

摘要

在不连接外附二极管使半导体装置小型化的同时防止通过电路产生的热集中在半导体基体的侧。顺序叠层的第一IGBT(1)以及第二IGBT(2)的第一基极区域(16)，具有接近各半导体基体(31)的侧面(31c)的周边部(26)。各IGBT(1，2)具有邻接N型的第一基极区域形成二极管(21)的P型的周边基极区域(27)和在第一基极区域(16)的周边部(26)的上表面(26a)上形成的二极管电极(24)，将各IGBT(1，2)的二极管电极(24)和集电极电极(23)在电气上进行连接。在半导体装置导通时，在与侧面(31c)分离的半导体基体(31)的侧流过电流，但是在半导体装置关断时发生反向电流时，反向电流接近半导体基体(31)的侧面(31c)流动。

主权项

一种半导体装置，其具有第一半导体元件和在该第一半导体元件上叠层的第二半导体元件，所述第一半导体元件以及第二半导体元件各个都具有：半导体基体，其具有：具有第一导电型的集电极区域、具有和第一导电型相反的第二导电型而且在所述集电极区域的上表面上形成的第一基极区域、具有第一导电型而且邻接所述第一基极区域形成的第二基极区域、和具有第二导电型而且邻接所述第二基极区域形成的发射极区域；经由绝缘体在所述第二基极区域的上表面上形成的栅极电极；在所述第二基极区域以及发射极区域的上表面上形成的发射极电极；和在所述集电极区域的下表面形成的集电极电极，其特征在于，所述第一基极区域具有接近所述半导体基体侧面的周边部，所述第一半导体元件以及第二半导体元件具有：具有第一导电型而且邻接所述第一基极区域的周边部形成二极管的周边基极区域、和在所述第一基极区域的周边部的上表面上形成的二极管电极，所述二极管的阳极仅与所述发射极电极电连接，将所述第一半导体元件以及第二半导体元件的所述二极管电极和所述集电极电极分别进行了电气连接。