半导体装置以及半导体装置的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体装置及其制造方法，在使用SiC基板的半导体装置中，JTE层几乎不会受到固定电荷的影响，可取得稳定的绝缘击穿耐压。本发明的第一方式的半导体装置具备：SiC外延层，其具有n型导电性；杂质层，其形成在SiC外延层的表面内，并具有p型导电性；以及JTE层，其与杂质层邻接地形成，并具有p型导电性，且杂质浓度低于杂质层。此处，JTE层形成在从SiC外延层的上表面隔开预定的距离的位置，JTE层的上方形成有具有n型导电性的SiC区域。

主权项

一种半导体装置的制造方法，其特征在于，该半导体装置的制造方法具备如下的步骤：(A)在具有n型导电性的SiC区域的表面内，形成具有p型导电性的杂质层的步骤；(B)对与上述杂质层邻接的区域的上述SiC区域实施p型杂质的离子注入，与上述杂质层邻接地形成杂质浓度低于上述杂质层的第一JTE层的步骤；(C)在上述SiC区域上形成保护膜的步骤；(D)在上述杂质层上方的上述保护膜上形成开口部的步骤；以及(E)在上述开口部内形成阳极电极的步骤，其中，上述步骤(B)是通过使上述离子注入的能量变化，从上述SiC区域的第一深度到没有到达上述SiC区域的表面的第二深度形成上述第一JTE层的步骤。