| 发明名称 | 混合晶向积累型全包围栅CMOS场效应晶体管 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种混合晶向积累型全包围栅CMOS场效应晶体管，其包括：具有第一沟道的PMOS区域、具有第二沟道的NMOS区域及栅区域，其特征在于：所述的第一沟道及第二沟道的横截面均为腰形(跑道形)，且所述第一沟道采用p型(110)Si材料，所述第二沟道采用n型(100)Si材料；栅区域将所述第一沟道及第二沟道的表面完全包围；在PMOS与NMOS区域之间、PMOS区域或NMOS区域与Si衬底之间均有埋层氧化层将它们隔离。本器件结构简单、紧凑，集成度高，在积累工作模式下，电流流过整个跑道形的沟道，具备高载流子迁移率，低低频器件噪声，并可避免多晶硅栅耗尽及短沟道效应，增大了器件的阈值电压。 | ||
| 申请公布号 | CN101710585A | 申请公布日期 | 2010.05.19 |
| 申请号 | CN200910199725.7 | 申请日期 | 2009.12.01 |
| 申请人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明人 | 肖德元;王曦;张苗;陈静;薛忠营 |
| 分类号 | H01L27/092(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/04(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/092(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人 | 余明伟;冯珺 |
| 主权项 | 一种混合晶向积累型全包围栅CMOS场效应晶体管，其包括：底层半导体衬底、具有第一沟道的PMOS区域、具有第二沟道的NMOS区域及一个栅区域，其特征在于：所述第一沟道及第二沟道的横截面均为腰形，由左右两端的半圆，及中部的与左右两端半圆过渡连接的矩形共同构成，且所述第一沟道采用p型(110)Si材料，所述第二沟道采用n型(100)Si材料；所述栅区域将所述第一沟道及第二沟道的表面完全包围；在所述PMOS区域与NMOS区域之间，除栅区域以外，设有第一埋层氧化层；在所述PMOS区域与所述底层半导体衬底之间或NMOS区域与所述底层半导体衬底之间，除栅区域以外，设有第二埋层氧化层。 | ||
| 地址 | 200050 上海市长宁区长宁路865号 | ||