发明名称 负极活性材料、其制备方法、和包含该负极活性材料的负极和锂电池
摘要 提供一种包括含有晶体硅的硅薄膜的负极活性材料,其拉曼光谱的拉曼位移在490-500cm-1的范围内,且半最大值全宽度(FWHM)在10-30cm-1的范围内。包括含有晶体硅的硅薄膜的负极活性材料的体积在充电和放电过程中不显著地改变,因此使用该负极活性材料的锂电池可提供优秀的容量保持率和较长的循环寿命。
申请公布号 CN101192666B 申请公布日期 2010.05.19
申请号 CN200610149435.8 申请日期 2006.11.20
申请人 三星SDI株式会社 发明人 郑仁善;柳永均;李锡守
分类号 H01M4/38(2006.01)I;H01M4/02(2006.01)I;H01M10/40(2006.01)I;H01M4/04(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I;C23C14/14(2006.01)I 主分类号 H01M4/38(2006.01)I
代理机构 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人 宋莉;贾静环
主权项 一种负极活性材料,其包括包含晶体硅的硅薄膜,其拉曼光谱的拉曼位移在490-500cm-1的范围内,且半最大值全宽度(FWHM)在10-30cm-1的范围内。
地址 韩国京畿道