| 发明名称 | 熔丝区及其制作方法 | ||
| 摘要 | 在一个实施例中，一种熔丝区，包括：绝缘层，设置在衬底上；熔丝，设置在绝缘层上，并且包括堆叠的熔丝阻挡图案和熔丝导电图案；以及支撑插头，设置在熔丝下面，并且穿透绝缘层和熔丝阻挡图案。 | ||
| 申请公布号 | CN101000906B | 申请公布日期 | 2010.05.19 |
| 申请号 | CN200710001640.4 | 申请日期 | 2007.01.09 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 姜应烈;李垣哲 |
| 分类号 | H01L23/525(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/525(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 戎志敏 |
| 主权项 | 一种熔丝区，包括：绝缘层，设置在衬底上；熔丝，设置在绝缘层上，并且包括堆叠的熔丝阻挡图案和熔丝导电图案；以及支撑插头，设置在熔丝下面，并且穿透绝缘层和熔丝阻挡图案，以使绝缘层和熔丝阻挡图案围绕支撑插头。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||