基板处理方法和基板处理装置

摘要

本发明提供一种基板处理方法，在基板处理装置的处理室内，将被处理基板载置在载置台上，一边利用加热单元通过载置台将被处理基板加热至700℃以上的处理温度，一边对被处理基板进行处理，在该基板处理方法中，将被处理基板搬入到处理室中，在将其载置在载置台上的状态下进行第一预加热，直至被处理基板到达规定温度，接着，使载置台的基板支撑销上升，在将被处理基板保持在该基板支撑销上的状态下进行第二预加热，此后，使基板支撑销下降，将被处理基板载置在载置台上，进行等离子体氧化处理等处理。

主权项

一种基板处理方法，其特征在于，包括：在基板处理装置的处理室内，在将被处理基板载置在载置台上的状态下，在被处理基板不产生弯曲的温度范围内进行规定时间的第一预加热的工序；使所述载置台的基板支撑销上升，在将被处理基板保持在该基板支撑销上的状态下，进行第二预加热的工序；和使所述基板支撑销下降，将被处理基板载置在所述载置台上，一边加热至700℃以上的处理温度一边进行处理的工序，所述进行第二预加热的工序包括：将被处理基板加热规定时间，在该被处理基板上形成弯曲的阶段；和再将被处理基板加热规定时间，使该被处理基板的弯曲恢复的阶段。