| 发明名称 | 氮化镓系化合物半导体激光元件的制造方法及氮化镓系化合物半导体激光元件 | ||
| 摘要 | 本发明所述氮化镓系化合物半导体激光元件的制造方法，其特征在于，作为氮化镓衬底的结晶面，使用在(0001)Ga面的<1-100>方向上以绝对值倾斜0.16度以上5.0度以下的面，或者使用将向(0001)Ga面的<1-100>方向的偏离角度作为A、向(0001)Ga面的<11-20>方向的偏离角度作为B时(A2+B2)的平方根为0.17以上、7.0以下的面，且以/秒以上/秒以下的生长速度使活性层生长。由此，即使使用偏离角度大的氮化镓衬底，也能够提供斜率效率大、元件电阻减少、驱动电压降低、且制造合格率高、偏差少、能够发出高输出蓝紫色光的氮化镓系化合物半导体激光元件的制造方法以及由该方法制造的化合物半导体激光元件。 | ||
| 申请公布号 | CN101147303B | 申请公布日期 | 2010.05.19 |
| 申请号 | CN200680009593.1 | 申请日期 | 2006.03.31 |
| 申请人 | 三洋电机株式会社;鸟取三洋电机株式会社 | 发明人 | 松下保彦;中泽崇一 |
| 分类号 | H01S5/343(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I | 主分类号 | H01S5/343(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 高龙鑫 |
| 主权项 | 1.一种氮化镓系化合物半导体激光元件的制造方法，在氮化镓衬底上制造所述氮化镓系化合物半导体激光元件，其特征在于，作为上述氮化镓衬底的结晶生长面，使用在(0001)Ga面的<1-100>方向上以绝对值倾斜0.16度以上、5.0度以下的面，且以<img file="F2006800095931C00011.GIF" wi="193" he="57" />以上、<img file="F2006800095931C00012.GIF" wi="193" he="56" />以下的生长速度使活性层生长。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||