| 发明名称 | W-ZrC-SiC金属陶瓷及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种W-ZrC-SiC金属陶瓷及其制备方法，本发明的金属陶瓷包含有45％～65％体积分数的碳化锆、25％～45％体积分数的钨和1％～20％体积分数的碳化硅，其步骤是以碳化钨和聚碳硅烷先驱体为原料成型碳化钨素坯，碳化钨素坯经高温裂解制得碳化钨-碳化硅多孔陶瓷，再以碳化钨-碳化硅多孔陶瓷为基材，用金属锆或者锆的合金进行金属熔渗，最后经高温热处理得到W-ZrC-SiC金属陶瓷。本发明制备方法的工艺设备要求简单，容易操作，制得的金属陶瓷产品力学性能良好，耐高温，抗氧化及耐烧蚀性能优异。 | ||
| 申请公布号 | CN101709421A | 申请公布日期 | 2010.05.19 |
| 申请号 | CN200910227194.8 | 申请日期 | 2009.12.11 |
| 申请人 | 中国人民解放军国防科学技术大学 | 发明人 | 王松;张守明;李伟;祝玉林;陈朝辉 |
| 分类号 | C22C29/06(2006.01)I;C22C1/00(2006.01)I | 主分类号 | C22C29/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 湖南兆弘专利事务所 43008 | 代理人 | 赵洪;杨斌 |
| 主权项 | 一种W-ZrC-SiC金属陶瓷，其特征在于：所述W-ZrC-SiC金属陶瓷包含有45％～65％体积分数的碳化锆、25％～45％体积分数的钨和1％～20％体积分数的碳化硅。 | ||
| 地址 | 410073 湖南省长沙市德雅路109号中国人民解放军国防科学技术大学一院重点实验室 | ||