| 发明名称 | 掺钕的硅酸钇钆激光晶体及其制备方法 | ||
| 摘要 | 一种用于产生1μm波段超短脉冲激光输出的掺钕的硅酸钇钆激光晶体，其特征在于该激光晶体的分子式为(NdyGdx(1-y)Y(1-x)(1-y))2SiO5，其中y的取值范围为0.005～0.01，x的取值范围为0＜x＜1。采用熔体法生长该掺钕的硅酸钇钆激光晶体。该掺钕的硅酸钇钆激光晶体可以采用商业化的AlGaAs激光二极管作为十分有效的泵浦光源，并具有大的发射带宽，有利于宽波长调谐和实现锁模飞秒脉冲激光输出。 | ||
| 申请公布号 | CN101709507A | 申请公布日期 | 2010.05.19 |
| 申请号 | CN200910199528.5 | 申请日期 | 2009.11.27 |
| 申请人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 发明人 | 徐晓东;李东振;吴锋;成诗恕;程艳;周大华 |
| 分类号 | C30B29/34(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人 | 张泽纯 |
| 主权项 | 一种用于产生1μm波段超短脉冲激光输出的掺钕的硅酸钇钆激光晶体，其特征在于该激光晶体的分子式为(NdyGdx(1-y)Y(1-x)(1-y))2SiO5，其中y的取值范围为0.005～0.01，x的取值范围为0＜x＜1。 | ||
| 地址 | 201800 上海市800-211邮政信箱 | ||