发明名称 |
一种对Ⅲ-Ⅴ氮化物进行n型和p型掺杂的方法 |
摘要 |
本发明公开了一种对III-V氮化物进行n型和p型掺杂的方法,在蓝宝石、SiC、GaN等衬底上外延生长的n型和p型III-V族氮化物,使用SiH4和/或Cp2Mg作为掺杂剂,使用交替供源气体的方式来实现n型和p型的有效掺杂。利用本发明,实现了利用Si和Mg对III-V氮化物进行n型和p型的有效掺杂,不但能够改善材料的晶体质量,降低材料的位错,而且能够提高III-V氮化物的n型和p型的掺杂效率和浓度。在提高了n型和p型III-V氮化物的掺杂效率和浓度之后,可以对GaN基LED和LD的n型和p型掺杂区域进行减薄,提高了利用MOCVD外延的效率,节约了外延的材料和消耗的能源。 |
申请公布号 |
CN101710569A |
申请公布日期 |
2010.05.19 |
申请号 |
CN200910241697.0 |
申请日期 |
2009.12.02 |
申请人 |
中国科学院半导体研究所 |
发明人 |
纪攀峰;李京波;闫建昌;刘乃鑫;刘喆;王军喜;李晋闽 |
分类号 |
H01L21/205(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/205(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
周国城 |
主权项 |
一种对III-V氮化物进行n型和p型掺杂的方法,其特征在于,该方法包括:步骤1:通入III族有机源和V族NH3;步骤2:关闭III族有机源,通入SiH4或Cp2Mg进行掺杂;步骤3:关闭SiH4或Cp2Mg,重复步骤1和2至所需要的外延层厚度。 |
地址 |
100083 北京市海淀区清华东路甲35号 |