| 发明名称 | HIT太阳电池 | ||
| 摘要 | 本实用新型公开一种HIT太阳电池，包括N型单晶硅片、N型单晶硅片的正面的本征非晶硅薄膜，在正面的本征非晶硅薄膜上沉积的P型重掺非晶硅薄膜；在P型重掺非晶硅薄膜上镀有的正面的透明导电薄膜，在正面的透明导电薄膜上印刷有的银金属栅线正电极；N型单晶硅片的背面的本征非晶硅薄膜，在背面的本征非晶硅薄膜上沉积的N型重掺非晶硅薄膜，在N型重掺非晶硅薄膜上镀有的背面的透明导电薄膜，在背面的透明导电薄膜上印刷有银金属栅线背电极，它还包括至少一层本征非晶硅层，所述的本征非晶硅层的每层厚度为0.5～10nm。本实用新型的HIT太阳电池可以减少缺陷复合中心，降低暗电流、提高电池的开路电压和填充因子。 | ||
| 申请公布号 | CN201478322U | 申请公布日期 | 2010.05.19 |
| 申请号 | CN200920124019.1 | 申请日期 | 2009.07.01 |
| 申请人 | 宁波尤利卡太阳能科技发展有限公司 | 发明人 | 李志强;季凯春;陈筑;易月星;杨玉光;胡宏勋 |
| 分类号 | H01L31/042(2006.01)I;H01L31/06(2006.01)I;H01L31/0216(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/042(2006.01)I |
| 代理机构 | 宁波市鄞州甬致专利代理事务所 33228 | 代理人 | 代忠炯 |
| 主权项 | 一种HIT太阳电池，包括N型单晶硅片(6)、N型单晶硅片(6)的正面的本征非晶硅薄膜(5)，在正面的本征非晶硅薄膜(5)上沉积的P型重掺非晶硅薄膜(4)；在P型重掺非晶硅薄膜(4)上镀有的正面的透明导电薄膜(2)，在正面的透明导电薄膜(2)上印刷有的银金属栅线正电极(1)；N型单晶硅片(6)的背面的本征非晶硅薄膜(7)，在背面的本征非晶硅薄膜(7)上沉积的N型重掺非晶硅薄膜(8)，在N型重掺非晶硅薄膜(8)上镀有的背面的透明导电薄膜(10)，在背面的透明导电薄膜(10)上印刷有银金属栅线背电极(11)，其特征在于：它还包括至少一层本征非晶硅层，所述本征非晶硅层的每层厚度为0.5～10nm。 | ||
| 地址 | 315177 浙江省宁波市鄞州区望春工业园区杉杉路1号 | ||