| 发明名称 | 相变存储器件及制造相变存储器件的方法 | ||
| 摘要 | 形成复合插塞(104)，第一插塞(TiN)(106)和第二插塞(W)(108)都设置在一个接触孔中；第一插塞(TiN)(106)起加热电极的作用，第二插塞(W)(108)起接触插塞的作用。这样就不需要将加热电极堆叠在接触插塞上。复合插塞(104)的第一和第二插塞的电阻率R11和R12的关系是R11＞R12。 | ||
| 申请公布号 | CN101005093B | 申请公布日期 | 2010.05.19 |
| 申请号 | CN200710002266.X | 申请日期 | 2007.01.17 |
| 申请人 | 尔必达存储器股份有限公司 | 发明人 | 早川努 |
| 分类号 | H01L27/24(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;H01L23/532(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/24(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 朱进桂 |
| 主权项 | 一种相变存储器件，其中包括：电流通路，其包括：导体层；与所述导体层相连的第一接触插塞；与所述接触插塞相连的加热电极；和与所述加热电极相连的相变层，以便在所述相变层和所述加热电极之间的界面产生焦耳热而改变所述相变层的相态，从而写入信息；第一层间绝缘膜，其中形成有第一接触孔；和填埋在所述第一接触孔中的复合插塞，所述复合插塞由第一插塞和第二插塞组成，第一插塞的主要成分是第一导电材料并且第一插塞起加热电极的作用，第二插塞的主要成分是电阻率低于第一导电材料的第二导电材料并且第二插塞起第一接触插塞的作用，第一插塞和第二插塞在侧面彼此接触，其中，电流流过所述电流通路。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||