用于在存储器结构中形成自对准共源极的方法和装置

摘要

本发明提供一种用于在存储器结构中形成自对准共源极的方法，包括以下步骤：在基底上形成多条字线，其中每条字线的两侧分别为源极区域和漏极区域；在源极区域进行光刻以形成光阻层，其中光阻层覆盖漏极区域和部分字线；对光阻层未覆盖的源极区域进行蚀刻以将所有源极区域连通为共源区域以及通过离子束对共源区域进行离子注入以形成自对准共源极，离子束的入射方向与基底表面的法线相隔一倾斜角。另外，本发明还提供实现以上方法的装置。采用以上技术方案，使得共源区域边界下的侧向搀杂浓度显著增加，从而在源区尺寸持续减小的情况下，共源极的电阻始终能保持大尺寸共源极同样的水平，共源极阻值降低到符合要求的范围。

主权项

一种用于在存储器结构中形成自对准共源极的方法，包括以下步骤：在基底上形成多条字线，其中每条字线的两侧分别为源极区域和漏极区域；在所述源极区域进行光刻以形成光阻层，其中所述光阻层覆盖所述漏极区域；对所述光阻层未覆盖的源极区域进行蚀刻以将所有源极区域连通为共源区域；以及通过离子束对所述共源区域进行离子注入以形成所述自对准共源极，所述离子束的入射方向与基底表面的法线相隔一倾斜角，其中所述进行离子注入的步骤包括以下步骤：以第一入射方向和/或以第二入射方向进行离子注入，其中，所述第一入射方向和所述第二入射方向分别位于所述基底表面的法线的两侧，并分别与所述法线相隔第一倾斜角和第二倾斜角，并且其中所述第一倾斜角与所述第二倾斜角不同。