| 发明名称 | 等离子体氮化处理方法和处理装置、半导体装置制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的等离子体氮化处理方法，由具有多个缝隙的平面天线将微波导入处理容器内，形成含氮气体的微波激发高密度等离子体，在等离子体处理装置的处理容器内，使该高密度等离子体作用于被处理体表面的硅，在500℃以上的处理温度下进行氮化处理。 | ||
| 申请公布号 | CN101194345B | 申请公布日期 | 2010.05.19 |
| 申请号 | CN200680020281.0 | 申请日期 | 2006.06.07 |
| 申请人 | 国立大学法人东北大学;东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 大见忠弘;寺本章伸;本多稔;中西敏雄 |
| 分类号 | H01L21/318(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/318(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 一种等离子体氮化处理方法，其特征在于：在等离子体处理装置的处理容器内，使含氮气体的等离子体作用于被处理体表面的硅，进行氮化处理，形成硅氮化膜，所述等离子体是密度为1×1010～5×1012/cm3的微波激发高密度等离子体，所述氮化处理的处理温度为600℃以上、800℃以下。 | ||
| 地址 | 日本宫城县 | ||