钽氮化物膜的形成方法

摘要

本发明按照CVD法在成膜室内导入含有在Ta元素的周围配位了N＝(R，R′)(R及R′表示碳原子数1-6的烷基，各自可以是相同的基团，也可以是不同的基团)的配合物的原料气体以及卤素气体，形成TaNx(Ha1)y(R，R′)z化合物膜(式中，Hal表示卤素原子)，然后导入含H原子的气体，与卤化生成物反应，形成富含钽的钽氮化物膜。由此，可提供作为C、N含量低、Ta/N组成比高，并且确保和Cu膜的密合性的阻挡膜有用的低电阻钽氮化物膜。另外，对得到的膜中通过溅射打入钽粒子，使其进一步富含钽。

主权项

钽氮化物膜的形成方法，其特征在于，按照CVD法，在成膜室内，同时导入含有在钽原子的周围配位了N＝(R，R′)的配合物的原料气体以及卤素气体，在基板上形成含有TaNx(Hal)y(R，R′)化合物的卤化化合物膜，然后导入含H原子的气体，与上述卤化化合物膜反应，切断除去该膜中与Ta键合的N，且切断除去与N键合的卤素原子和R、R′基，形成富含钽的钽氮化物膜，其中，Hal表示卤素原子，R及R′表示碳原子数1-6的烷基，各自可以是相同的基团，也可以是不同的基团。