高电介质薄膜的改性方法和半导体装置

摘要

本发明提供一种高电介质薄膜的改性方法和半导体装置，在使用有机金属化合物材料、在被处理体的表面上形成的高电介质薄膜的改性方法中，包括：准备在表面上形成有上述高电介质薄膜的上述被处理体的准备工序；和维持上述被处理体在规定的温度，并在非活性气体的气氛中对上述高电介质薄膜照射紫外线，由此进行上述高电介质薄膜的改性的改性工序。由此，能够使碳成分从高电介质薄膜中脱离，并且使整体热压配合而提高密度，防止缺损的发生，而且能够提高膜密度，从而提高介电常数，能够得到较高的电特性。

主权项

一种高电介质薄膜的改性方法，该高电介质薄膜使用有机金属化合物材料、形成在被处理体的表面，该改性方法的特征在于，包括：准备在表面上形成有所述高电介质薄膜的所述被处理体的准备工序；维持所述被处理体在所述高电介质薄膜中的氧键不被切断的温度，并且在非活性气体的气氛中对所述高电介质薄膜照射紫外线，由此进行所述高电介质薄膜的致密化的改性工序；和再氧化工序，其是在即将进行所述改性工序之前或者紧接着所述改性工序进行的工序，维持所述被处理体在所述高电介质薄膜中的氧键不被切断的温度，并在氧气的气氛中对所述高电介质薄膜照射紫外线，由此修复所述高电介质薄膜中的氧缺损。