| 发明名称 | 一种去除半导体零件表面污染物的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种去除半导体零件表面污染物的方法，包括如下步骤：将初步擦拭后的半导体零件，用去离子水冲洗5～10分钟，在NH4OH∶TMAH为100∶1的1～5％水溶液中超声清洗10～30分钟，擦拭，用去离子水冲洗5～10分钟，放入加入适量柠檬酸或EDTA的NH4OH∶H2O2∶H2O＝1∶1∶2～5的溶液中浸泡20～30分钟，用去离子水冲洗5～10分钟，干燥即得。本发明所述的去除半导体零件表面污染物的方法，保持在碱性环境下对这些物质进行清洗，选用NH4OH作为碱性试剂，再适当加入一些TMAH，增强洗净效果，采取另外加入络合剂如柠檬酸或EDTA，能与金属离子有效的发生络合避免沉积的生成，从而达到洗净去除的效果。 | ||
| 申请公布号 | CN101217102B | 申请公布日期 | 2010.05.19 |
| 申请号 | CN200710063226.6 | 申请日期 | 2007.01.04 |
| 申请人 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 发明人 | 钱进文 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I;B08B7/04(2006.01)I;B08B1/00(2006.01)I;B08B3/00(2006.01)I;B08B3/12(2006.01)I;B08B3/08(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人 | 练光东 |
| 主权项 | 一种去除半导体设备的零件表面污染物的方法，包括如下步骤：将初步擦拭后的半导体设备的零件，用去离子水冲洗5～10分钟，在NH4OH∶TMAH为100∶1的1～5％水溶液中超声清洗10～30分钟，擦拭，用去离子水冲洗5～10分钟，放入加入柠檬酸或EDTA的NH4OH∶H2O2∶H2O＝1∶1∶(2～5)的溶液中浸泡20～30分钟，用去离子水冲洗5～10分钟，干燥即得。 | ||
| 地址 | 100016 北京市朝阳区酒仙桥东路1号 | ||