发明名称 波长转换的半导体发光器件
摘要 一种诸如磷光体之类的材料与半导体结构光学耦合,该半导体结构包括设置在n-型区域和p-区域之间的发光区域,以便有效地将来自发光区域的光提取进入到磷光体中。该磷光体可以是与半导体结构的表面直接接触的磷光体晶粒,或者是与半导体结构结合的陶瓷磷光体,或者与其上可以生长半导体结构的薄的核结构结合的陶瓷磷光体。该磷光体优选是高吸收的且高效的。当半导体结构将光发射到这种高效、高吸收的磷光体中时,该磷光体可以有效地从该结构中提取光,降低现有技术器件中存在的光损耗。
申请公布号 CN101176212B 申请公布日期 2010.05.19
申请号 CN200680008317.3 申请日期 2006.03.07
申请人 飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司 发明人 M·R·克拉梅斯;G·O·米勒
分类号 H01L33/00(2006.01)I 主分类号 H01L33/00(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 李静岚;谭祐祥
主权项 一种制造发光器件的方法,包括:提供一种包括磷光体的陶瓷主体,该磷光体构造成吸收第一峰值波长的光并且发射第二峰值波长的光;将陶瓷主体结合到核结构的表面上;并且在核结构上生长半导体结构,该半导体结构包括设置在n-型区域和p-型区域之间的发光区域,该发光区域构造成发射第一峰值波长的光;其中在生长之前,该核结构的厚度小于100微米。
地址 美国加利福尼亚州