发明名称 | 波长转换的半导体发光器件 | ||
摘要 | 一种诸如磷光体之类的材料与半导体结构光学耦合,该半导体结构包括设置在n-型区域和p-区域之间的发光区域,以便有效地将来自发光区域的光提取进入到磷光体中。该磷光体可以是与半导体结构的表面直接接触的磷光体晶粒,或者是与半导体结构结合的陶瓷磷光体,或者与其上可以生长半导体结构的薄的核结构结合的陶瓷磷光体。该磷光体优选是高吸收的且高效的。当半导体结构将光发射到这种高效、高吸收的磷光体中时,该磷光体可以有效地从该结构中提取光,降低现有技术器件中存在的光损耗。 | ||
申请公布号 | CN101176212B | 申请公布日期 | 2010.05.19 |
申请号 | CN200680008317.3 | 申请日期 | 2006.03.07 |
申请人 | 飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司 | 发明人 | M·R·克拉梅斯;G·O·米勒 |
分类号 | H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 李静岚;谭祐祥 |
主权项 | 一种制造发光器件的方法,包括:提供一种包括磷光体的陶瓷主体,该磷光体构造成吸收第一峰值波长的光并且发射第二峰值波长的光;将陶瓷主体结合到核结构的表面上;并且在核结构上生长半导体结构,该半导体结构包括设置在n-型区域和p-型区域之间的发光区域,该发光区域构造成发射第一峰值波长的光;其中在生长之前,该核结构的厚度小于100微米。 | ||
地址 | 美国加利福尼亚州 |