发明名称 磷酸二氢钾孪晶的制备方法
摘要 本发明涉及一种磷酸二氢钾(KDP)孪晶的制备方法,它主是要是一种采用水溶液降温法人工培养孪晶的方法,属无机晶体材料制备工技术领域。本发明方法主要过程如下:将外形完整的磷酸二氢钾(KDP)单晶切掉两锥顶,剩下部分切取两段,按既定角度方向磨平,磨成大小相同的两段晶体,将磨出的大小相同的对应面相对接,再把上下两顶磨平;然后再把欲形成的孪晶界面在接触面沿对角线打磨,并进行抛光;然后将两段晶体的两锥面接触,使两锥面处在一条直线上;以YZ平为底竖直粘贴到有机玻璃板上;然后把粘好的晶体放入KDP饱和溶液中,控制生长条件,使晶体在其中生长,最后生成两共轴成40°的KDP孪晶。
申请公布号 CN101708833A 申请公布日期 2010.05.19
申请号 CN200910198198.8 申请日期 2009.11.03
申请人 上海大学 发明人 王燕;徐军;刘燕红;庞宛文;白丽华;张惠芳
分类号 C01B25/30(2006.01)I 主分类号 C01B25/30(2006.01)I
代理机构 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 代理人 顾勇华
主权项 一种磷酸二氢钾孪晶的制备方法,主要采用水溶液降温法,该方法具有以下的制备过程和步骤:a.将外形完整的磷酸二氢钾(KDP)晶体切掉两锥顶,剩下的部分切取两段,用细砂纸将这两段晶体按既定角度方向磨好,再用细砂纸磨去晶体表面的微晶,两段晶体磨成大小相同,接着用细软的丝绸抛光晶体。将磨出的大小相同的对应面重合,把上下两顶磨平,再沿xy平面内矩形的对角线将籽晶磨掉一半,即把与欲形成的孪晶界面沿上述对角线相正交的面磨大;b.磨好后将晶体抛光,然后将处理好的两段晶体,使其两锥面接触,两锥面处在一条支线上,并以yz平面为底竖直粘贴到有机玻璃板上;c.配制好磷酸二氢钾(KDP)饱和溶液:溶质KDP为分析纯经过一次重结晶的提纯产品,溶剂为三次蒸馏水;先测出KDP溶液饱和温度;随后用微孔滤膜过滤溶液,再加热该溶液提高至原饱和温度之上15℃的温度,在该温度下预热48小时,然后将溶液温度下降到高出原饱和温度5℃的温度,此时才放入上述的粘好的晶体,控制生长条件,使晶体生长;d.等放入的晶体稍溶后,将溶液温度下降到原饱和温度,并按设计的程序降温,使晶体在溶液中良好生长;最后取出晶体,用过滤纸吸干晶体表面的溶液,最终制得两光轴成40°的磷酸二氢钾孪晶。
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