| 发明名称 | 过电流保护组件 | ||
| 摘要 | 本发明揭示一种过电流保护组件，其包含二金属箔片、一叠设于所述二金属箔片间的正温度系数(PTC)材料层。所述PTC材料层包含：(1)一高分子聚合物基材，其所占体积百分比介于35-60％，且包含一熔点高于150℃的含氟的结晶性高分子聚合物(例如聚氟化亚乙烯(polyvinylidine fluoride；PVDF))；以及(2)一散布于所述高分子聚合物基材中的导电陶瓷填料(例如碳化钛)。所述导电陶瓷填料所占体积百分比介于40-65％，且其体积电阻值小于500μΩ-cm。所述PTC材料层的体积电阻值小于0.1Ω-cm，且于25℃时的维持电流对PTC材料层面积的比率为介于0.05至0.2A/mm2之间。 | ||
| 申请公布号 | CN101162632B | 申请公布日期 | 2010.05.19 |
| 申请号 | CN200610149601.4 | 申请日期 | 2006.10.10 |
| 申请人 | 聚鼎科技股份有限公司 | 发明人 | 王绍裘;游志明 |
| 分类号 | H01C7/13(2006.01)I;H01C7/02(2006.01)I | 主分类号 | H01C7/13(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 王允方;刘国伟 |
| 主权项 | 一种过电流保护组件，包含：二金属箔片；以及一正温度系数(PTC)材料层，是叠设于所述二金属箔片之间，其包含：(1)一高分子聚合物基材，占所述PTC材料层的体积百分比介于35-60％，且包含一熔点高于150℃的含氟的结晶性高分子聚合物；及(2)一导电陶瓷填料，散布于所述高分子聚合物基材中，所述导电陶瓷填料占所述PTC材料层的体积百分比介于40-65％，且其体积电阻值小于500μΩ-cm；其中所述PTC材料层的体积电阻值小于0.1Ω-cm，且25℃时的维持电流对PTC材料层面积的比率为介于0.05至0.2A/mm2之间。 | ||
| 地址 | 中国台湾 | ||