| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种能够利用低成本的结构改进MOSFET运行速度的半导体器件以及该半导体器件的制造方法。该方法包括形成覆盖MOSFET的源极、漏极、侧壁绝缘层和栅极的应力膜的步骤，以及在所述应力膜中形成从所述应力膜的表面朝向所述侧壁绝缘层延伸的缝隙的步骤；其中，将所述侧壁绝缘层形成为L形；将所述缝隙形成为靠近所述L形侧壁绝缘层的弯折部延伸。这样，通过所述缝隙抑制了源极和漏极上的应力膜中的局部应力分量可能会由于栅极上的应力膜中的局部应力分量而减小的情形。 | ||
| 申请公布号 | CN101162734B | 申请公布日期 | 2010.05.19 |
| 申请号 | CN200710008175.7 | 申请日期 | 2007.01.26 |
| 申请人 | 富士通微电子株式会社 | 发明人 | 田村直义 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 张龙哺 |
| 主权项 | 一种具有金属氧化物半导体场效应晶体管的半导体器件，包括：应力膜，其形成为覆盖源极、漏极、侧壁绝缘层以及栅极，在所述应力膜中形成从所述应力膜的表面朝向所述侧壁绝缘层延伸的缝隙；其中，所述侧壁绝缘层形成为L形；所述缝隙形成为靠近所述L形侧壁绝缘层的弯折部延伸。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||