| 发明名称 | 半导体成像装置及其制造方法和摄影机及其制造方法 | ||
| 摘要 | 公开了一种半导体成像装置，包括规定的基材，位于所述基材上并具有多个半导体成像器件和电极的成像器件阵列，用于在对接收光进行光电转换时输出信号电荷，以及位于所述成像器件阵列上的滤色层，其中所述滤色层中含有红外线吸收染料。 | ||
| 申请公布号 | CN101183680B | 申请公布日期 | 2010.05.19 |
| 申请号 | CN200610148413.X | 申请日期 | 2006.11.14 |
| 申请人 | 索尼株式会社 | 发明人 | 内田好则 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01)I;G02B5/23(2006.01)I;H04N5/225(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人 | 宋鹤 |
| 主权项 | 一种半导体成像装置，包括：规定基材；位于所述基材上并具有多个半导体成像器件和电极的成像器件阵列，用于在对接收光进行光电转换时输出信号电荷；以及位于所述成像器件阵列上的滤色层，其中所述滤色层中含有通过染料分散的光致抗蚀剂形成的红外线吸收染料。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||