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发明名称 DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR GaN ET PROCEDE UTILISANT DU GaN SUR UNE FINE COUCHE DE SAPHIR DEPOSEE SUR UN SUBSTRAT DE CARBURE DE SILICIUM POLYCRISTALLIN
摘要
申请公布号 FR2896090(B1) 申请公布日期 2010.05.14
申请号 FR20070000243 申请日期 2007.01.12
申请人 INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION 发明人 KINZER DANIEL M
分类号 H01L21/20;H01L21/336 主分类号 H01L21/20
代理机构 代理人
主权项
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