摘要 |
<p>In mindestens einer Ausführungsform des Verfahrens zur Herstellung eines Strahlung emittierenden Dünnschichtbauelements (1) weist dieses folgende Schritte auf: - Bereitstellen eines Substrats (2), - Aufwachsen von Nanostäben (3) auf dem Substrat (2), - epitaktisches Aufwachsen einer Halbleiterschichtenfolge (4) mit mindestens einer aktiven Schicht (5) auf den Nanostäben (3), - Aufbringen eines Trägers (6) auf der Halbleiterschichtenfolge (4), und - Abtrennen von Halbleiterschichtenfolge (4) und Träger (6) vom Substrat (2) durch mindestens teilweises Zerstören der Nanostäbe (3). Durch ein solches Herstellungsverfahren können mechanische Spannungen und Risse in der Halbleiterschichtenfolge (4), die durch das Aufwachsen resultieren, reduziert werden.</p> |
申请人 |
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH;LUGAUER, HANS-JUERGEN;STREUBEL, KLAUS;STRASSBURG, MARTIN;WINDISCH, REINER;ENGL, KARL |
发明人 |
LUGAUER, HANS-JUERGEN;STREUBEL, KLAUS;STRASSBURG, MARTIN;WINDISCH, REINER;ENGL, KARL |