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<p>Un procédé de formation d'une couche mince en un matériau donné comporte les étapes suivantes : - on prépare un premier substrat 10 comportant, en surface, une couche amorphe et/ou polycristalline 12 dudit matériau donné, - on colle à ce premier substrat, par collage moléculaire, un second substrat 20 comportant en surface une couche monocristalline de référence 21, ayant une orientation cristallographique donnée, - on applique au moins à la couche amorphe et/ou polycristalline un traitement thermique adapté à provoquer la recristallisation en phase solide d'au moins une partie de cette couche amorphe et/ou polycristalline 12 suivant l'orientation cristallographique de la couche de référence 22, cette couche de référence agissant en tant que germe de recristallisation, et - on sépare la couche au moins en partie recristallisée vis-à-vis de la couche de référence.</p> |
