Transistor mit einem Metallgatestapel mit großem epsilon und einem kompressiv verspannten Kanal

摘要

In einem Fertigungsablauf zur Anpassung der Bandlücke des Halbleitermaterials in Bezug auf die Austrittsarbeit eines metallenthaltenden Gateelektrodenmaterials wird auch ein verformungsinduzierendes Material abgeschieden, um damit eine zusätzliche Verformungskomponente in dem Kanalgebiet zu schaffen. Beispielsweise wird ein Schichtstapel mit Silizium/Kohlenstoff, Silizium und Silizium/Germanium verwendet, um die gewünschte Schwellwertspannung für ein Metallgate zu erhalten, wobei auch eine kompressive Verformung in dem Kanalgebiet erzeugt wird.