发明名称 基于动态随机存取存储器核心的多端口存储器
摘要 半导体存储器件包括数量为N的多个外部端口,每个外部端口都接收指令,和一个内部电路,它在输入到一个外部端口的指令的最小时间间隔中至少实施N次存取操作。
申请公布号 CN1734668B 申请公布日期 2010.05.05
申请号 CN200510083508.3 申请日期 2001.11.26
申请人 富士通微电子株式会社 发明人 松崎康郎;铃木孝章;山崎雅文;川崎健一;鎌田心之介
分类号 G11C11/407(2006.01)I;G11C11/409(2006.01)I;G11C7/00(2006.01)I 主分类号 G11C11/407(2006.01)I
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人 李德山
主权项 半导体存储器件,包括:一个存储器阵列;N个外部端口,每个外部端口都接收第1指令,其中N是大于1的整数;一个内部指令发生电路,它在内部独立地产生第2指令;其中将由每个外部端口接收的第1指令的最小输入周期设置得等于或大于所述半导体存储器件实施N+1个内部操作的周期,所述N个外部端口中的每一个都包括一个用于接收来自器件外部的时钟信号的时钟端子,并且所述N个外部端口中的每一个都与接收的时钟信号同步地实施输入/输出操作,以及通过在所述存储器阵列和一个外部端口之间的一个存取操作输入/输出在数据量上等于一个脉冲串长度的数据。
地址 日本东京