发明名称 |
一种采用DWELL的中红外锑化物激光器结构 |
摘要 |
本发明是一种采用DWELL的中红外锑化物激光器结构,即阱中量子点(DWELL)中红外激光器结构,即在量子阱(WELL)中嵌入量子点(DOT),通过增加器件中DWELL的有效周期数目提升器件效率。减少有源区In组分和优化量子点、阱宽度和覆盖层,将外延层的应变减至最小。由于量子点的发射效率、光增益都强于量子阱;DWELL对电子的俘获能力、反射率和光限制能力强于单层量子点和多量子阱结构,所以这种DWELL结构具有较高的发射效率。DWELL结构的中红外激光器兼备了传统量子阱和量子点激光器的特点,在DWELL中载流子复合效率更高,可以在更高温度下工作。 |
申请公布号 |
CN101702490A |
申请公布日期 |
2010.05.05 |
申请号 |
CN200910217783.8 |
申请日期 |
2009.10.29 |
申请人 |
长春理工大学 |
发明人 |
尤明慧;高欣;李占国;刘国军;李林;李梅;王勇;乔忠良;邹永刚;邓昀;王晓华;李联合 |
分类号 |
H01S5/00(2006.01)I;H01S5/343(2006.01)I;H01S5/028(2006.01)I |
主分类号 |
H01S5/00(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种采用DWELL的中红外锑化物激光器结构包括:n型GaSb衬底(1),n型GaSb缓冲层(2),n型Al0.9Ga0.1As0.03Sb0.97下限制层(3),n型Al0.3Ga0.7As0.02Sb0.98下波导层(4),3-5个周期的DWELL层(5),DWELL层(5)包括势垒层Al0.3Ga0.7As0.02Sb0.98(6),量子阱层In0.2Ga0.8As0.02Sb0.98(7),InGaSb量子点层(8),p型Al0.3Ga0.7As0.02Sb0.98上波导层(9),p型Al0.9Ga0.1As0.03Sb0.97上限制层(10),p+型GaSb欧姆层(11)。衬底(1)为材料外延生长的基底,采用Te掺杂的GaSb衬底;生长0.5μm的Te掺杂GaSb缓冲层(2);下限制层为厚度为1.2μm,Al含量0.9的Al0.9Ga0.1As0.03Sb0.97层(3);下波导层为厚度为0.35μm,Al含量0.3的Al0.3Ga0.7As0.02Sb0.98层(4);有源区为利用3-5个周期DWELL层(5);上波导层为厚度为0.35μm,Al含量0.3的Al0.3Ga0.7As0.02Sb0.98层(9);上限制层为厚度为1.2μm,Al含量0.9的Al0.9Ga0.1As0.03Sb0.97层(10);欧姆接触层为200nm的p型GaSb层(11)。其中DWELL(5)为40nm势垒层Al0.3Ga0.7As0.02Sb0.98(6),15nm量子阱层In0.2Ga0.8As0.02Sb0.98(7),以及嵌在其中的2.5原子层InGaSb量子点层(8)。 |
地址 |
130022 吉林省长春市朝阳区卫星路7186号 |