| 发明名称 | 二硼化钛弥散强化铜基复合材料的自蔓延高温合成制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种自蔓延高温合成制备二硼化钛弥散强化铜基复合材料的方法：以粒度均小于100目，纯度均大于99％的Cu粉、Ti粉和B粉为原料，将一定量的Cu粉、Ti粉和B粉(Cu粉与Ti+B粉的质量比为50∶50～70∶30，其中Ti粉与B粉的摩尔比为1∶2)混合后在室温下高能球磨3～10小时；然后将混合粉末冷压成型；最后在真空室内采用电弧引燃压坯，通过压坯的自蔓延高温合成制备TiB2弥散强化的铜基复合材料，TiB2颗粒的平均粒径2～8μm。本发明采用简单的自蔓延高温合成方法合成制备TiB2弥散强化铜基复合材料，具有工艺简单、生产成本低、产品产量和质量高等优点。 | ||
| 申请公布号 | CN101701301A | 申请公布日期 | 2010.05.05 |
| 申请号 | CN200910095177.3 | 申请日期 | 2009.11.11 |
| 申请人 | 昆明理工大学 | 发明人 | 李才巨;朱心昆;赵昆渝;陶静梅;陈铁力 |
| 分类号 | C22C1/05(2006.01)I;C22C1/10(2006.01)I;C22C9/00(2006.01)I | 主分类号 | C22C1/05(2006.01)I |
| 代理机构 | 昆明今威专利代理有限公司 53115 | 代理人 | 赛晓刚 |
| 主权项 | 一种自蔓延高温合成制备二硼化钛弥散强化铜基复合材料的方法，其特征在于：以粒度均小于100目，纯度均大于99％的Cu粉、Ti粉和B粉为原料，将Cu粉、Ti粉和B粉，其中Cu粉与Ti+B粉的质量比为50∶50～70∶30，Ti粉与B粉的摩尔比为1∶2，混合后在室温下高能球磨3～10小时；然后将混合粉末冷压成型；最后在真空室内采用电弧引燃压坯，通过压坯的自蔓延高温合成制得TiB2弥散强化的铜基复合材料。 | ||
| 地址 | 650093 云南省昆明市五华区学府路253号(昆明理工大学) | ||