| 发明名称 | 改进的多层聚合物结构 | ||
| 摘要 | 多层聚合物结构，该多层结构包括相邻层(L1)和(L2)的至少一个二元组(L1-L2)，其中层(L1)包括至少一种聚合物组合物(C1)，其包含接枝的含氟聚合物材料(M1)，该含氟聚合物材料(M1)由N<sub>1</sub>种接枝的含氟聚合物(P1)组成，所述聚合物(P1)是通过包括将选自烯键式不饱和羧酸、其酯、其酸酐及其盐的至少一种接枝剂(G1)接枝到未接枝的含氟聚合物(U1)上的方法制得的，层(L2)包括至少一种聚合物组合物(C2)，其包含至少一种抗冲改性剂(I2)和半晶质的芳族聚酰胺材料(M2)，该材料(M2)由N<sub>2</sub>种半晶质的芳族聚酰胺聚合物(P2)组成，材料(M1)的平均熔点(T<sub>av,1</sub>)与材料(M2)的平均熔点(T<sub>av,2</sub>)相差最多45℃，对于j＝1和j＝2，N<sub>j</sub>为材料(Mj)中聚合物(Pj)的数量，N<sub>j</sub>≥1,T<sub>av,j</sub>等于式(I)，w<sub>i,j</sub>为材料(Mj)的第i种聚合物(Pj)的重量含量，T<sub>i,j</sub>为材料(Mj)的第i种聚合物(Pj)的熔点，W<sub>j</sub>为材料(Mj)的总重量含量。制造上述多层结构的方法，其包括将聚合物组合物(C1)和(C2)共挤出，从而得到相邻层(L1)和(L2)的二元组(L1-L2)。包含上述多层结构的成型制品，以及其制造方法。<img file="200580040352.9_AB_0.GIF" wi="159" he="140" /> | ||
| 申请公布号 | CN101065245B | 申请公布日期 | 2010.05.05 |
| 申请号 | CN200580040352.9 | 申请日期 | 2005.11.23 |
| 申请人 | 索维高级聚合物股份有限公司 | 发明人 | 科琳·布舍尔曼;詹姆斯·K·多蒂;简·德坎尼尔;约翰·比耶 |
| 分类号 | B32B27/30(2006.01)I;B32B27/34(2006.01)I | 主分类号 | B32B27/30(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 郇春艳;郭国清 |
| 主权项 | 1.包含相邻层L1和L2的至少一个二元组L1-L2的多层结构，其中：- 层L1包括至少一种聚合物组合物C1，其包含接枝的含氟聚合物材料M1，该含氟聚合物材料M1由N<sub>1</sub>种接枝的含氟聚合物P1组成，所述聚合物P1是通过包括将选自烯键式不饱和羧酸、其酯、其酸酐及其盐的至少一种接枝剂G1接枝到未接枝的含氟聚合物U1上的方法制得的，- 层L2包括至少一种聚合物组合物C2，其包含至少一种抗冲改性剂I2和半晶质的芳族聚酰胺材料M2，该材料M2由N<sub>2</sub>种半晶质的芳族聚酰胺聚合物P2组成，以及- 材料M1的平均熔点T<sub>av，1</sub>与材料M2的平均熔点T<sub>av，2</sub>相差最多45℃，N<sub>1</sub>为材料M1中聚合物P1的数量，N<sub>1</sub>≥1，T<sub>av，1</sub>等于<img file="F2005800403529C00011.GIF" wi="385" he="175" />w<sub>i，1</sub>为材料M1中第i种聚合物P1的重量含量，T<sub>i，1</sub>为材料M1中第i种聚合物P1的熔点，W<sub>1</sub>为材料M1的总重量含量；和N<sub>2</sub>为材料M2中聚合物P2的数量，N<sub>2</sub>≥2，T<sub>av，2</sub>等于<img file="F2005800403529C00012.GIF" wi="404" he="165" />w<sub>i，2</sub>为材料M2中第i种聚合物P2的重量含量，T<sub>i，2</sub>为材料M2中第i种聚合物P2的熔点，W<sub>2</sub>为材料M2的总重量含量。 | ||
| 地址 | 美国佐治亚州 | ||