发明名称 |
CMOS图像传感器及其制造方法 |
摘要 |
一种包括半导体衬底的CMOS图像传感器,具有多个以预定间隔布置于半导体衬底上的光电二极管。遮光层部分地与多个光电二极管交叠,以及绝缘中间层形成于包括多个光电二极管的半导体衬底的整个表面上。包括多个分隔预定间隙的滤色器的滤色器层形成于绝缘中间层上,以及平坦化层形成于包括滤色器层的半导体衬底的整个表面上。多个微透镜对应于滤色器层的滤色器形成于平坦化层上,其中设有设置于滤色器层与绝缘中间层之间的附加结构层,以封闭滤色器层的滤色器之间的预定间隙。 |
申请公布号 |
CN1794463B |
申请公布日期 |
2010.05.05 |
申请号 |
CN200510134785.2 |
申请日期 |
2005.12.16 |
申请人 |
东部亚南半导体株式会社 |
发明人 |
郑明安 |
分类号 |
H01L27/146(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/146(2006.01)I |
代理机构 |
北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 |
代理人 |
余刚;吴贵明 |
主权项 |
一种CMOS图像传感器,包括:多个光电二极管,以预定间隔布置于半导体衬底上;遮光层,形成在所述半导体衬底的暴露于光电二极管之间的部分上,通过阻挡任何到达光电二极管之间的光来允许仅在每个光电二极管上的光信号接收;绝缘中间层,形成于包括所述遮光层的半导体衬底的整个表面上;滤色器层,具有多个以预定间隙分隔开的滤色器,形成于所述绝缘中间层上;以及附加结构层,布置在以预定间隙分隔开的滤色器之间,具有用于阻挡入射到所述滤色器层的所述预定间隙处的光的图样,位于所述绝缘中间层上,所述附加结构层的图样被所述滤色器部分地交叠。 |
地址 |
韩国首尔 |