发明名称 金属镀膜的形成方法、电子部件制造方法及镀膜形成装置
摘要 本发明是通过准备表面形状为凸曲面状的基体,在该基体表面析出金属镀膜,从所述基体剥离所述金属镀膜,而得到金属镀膜的方法。因为析出金属镀膜的所述基体的表面形成凸曲面状,所以在基体的表面形成断面为凸曲面状的金属镀膜。在如此得到的金属镀膜中,因为内部应力(拉伸应力)生成,所以使金属镀膜从基体剥离,转写到电介质片,则金属镀膜向平坦的方向变形。因此,在转写了金属镀膜的电介质片等的转写材中,能够有效地防止金属镀膜中变形或破损的发生,能够提高生产性。
申请公布号 CN1813084B 申请公布日期 2010.05.05
申请号 CN200480017902.0 申请日期 2004.06.25
申请人 京瓷株式会社 发明人 东原伸浩;佐古田秀人;中川敦之;段仪治;喜多克典;池内浩一郎
分类号 C25D1/04(2006.01)I;H01G4/12(2006.01)I 主分类号 C25D1/04(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 朱丹
主权项 一种电子部件的制造方法,其特征在于,包括:工序A,在基体的表面析出金属镀膜;工序B,从所述基体剥离所述金属镀膜,使该金属镀膜和电介质片相互附着;工序C,通过对形成有所述金属镀膜的电介质片,在比形成所述金属镀膜的金属的熔点更低的温度进行热处理,获得在电介质层上具备覆盖有导体层的部分的电子部件,所述工序B,包括:从所述基体剥离所述金属镀膜,并转写到树脂膜的工序;和在被转写到该树脂膜的金属镀膜上附着电介质片的工序。
地址 日本京都府