Ⅲ族-氮化物器件的钝化及其方法

摘要

III族-氮化物半导体器件的一种实施方案以及其制造方法，可以包括低电阻钝化层，所述钝化层使得能够形成器件接触，而不会在高温处理过程中损坏III族-氮化物材料。该钝化层也可以设置在接触与器件的有源层之间，从而为电流传导提供低电阻路径。该钝化过程可用于多种器件，包括FET、整流器、肖特基二极管等，以提交击穿电压和防止在接触结附近出现电场聚集效应。该钝化层可以通过低温退火激活，从而不会在外扩散方面对III族-氮化物器件产生影响。

主权项

一种III族-氮化物半导体器件，包括：导电沟道，形成在具有不同晶格常数的两个III族-氮化物材料之间的界面处；电极，与所述沟道耦接以传送沟道电流；钝化层(12)，位于所述电极和所述沟道之间并具有中断区域，其中所述电极穿过所述中断区域延伸，从而使所述器件内的电流能够流过所述钝化层的所述中断区域；以及栅接触，其与所述导电沟道共同工作，以允许或阻止电流在所述导电沟道内流动，其中所述栅接触完全位于所述钝化层的上方。