利用碳纳米管复合互连通路的集成电路芯片

摘要

利用埋置于导电金属中的多个无差别碳纳米管形成集成电路中的导电路径，该导电金属优选为铜。优选地，导电路径包括在导电层之间延伸的通路。优选地，通过在通路位置处在导体上形成金属催化剂垫，沉积并蚀刻电介质层从而形成凹部，在凹部中在催化剂上生长基本平行的碳纳米管，以及用铜填充凹部中的剩余空隙，来形成复合通路。然后在通孔上形成下一导电层。

主权项

一种集成电路芯片，包括：多个有源器件，形成在衬底上；多个电导体，在一个或多个导电层中用于提供到所述多个有源器件的电连接；以及多个导电通路，每个导电通路形成在所述电介质层中各凹部内，每个导电通路将各第一导电层中的各第一电导体与以下物质构成的组中的至少一个电连接：(a)各第二导电层中的各第二电导体，每个所述各第二导电层通过电介质层与所述各第一导电层分隔开，和(b)形成在所述衬底上的所述多个有源器件的各有源器件，所述多个有源器件通过电介质层与所述各第一导电层分隔开；其中每个所述导电通路包括埋置于导电金属中且填充所述凹部的多个碳纳米管。