| 发明名称 | 使用依赖角度的灵敏度的基于自旋转移的MRAM | ||
| 摘要 | 使用自旋转移反射模式技术可以选择性地写入磁随机存取存储器(MRAM)设备(200)。通过自旋转移切换电流对MRAM单元中的极化器元件(204)和自由磁元件(208)的磁化之间的相对角度的依赖关系，实现了MRAM阵列中的指定MRAM单元的选择性。极化器元件具有可变磁化，其可以响应电流施加而改变，例如，响应数位电流(226)的施加而改变。当极化器元件的磁化处于天然的缺省取向中时，保持MRAM单元中的数据。当切换极化器元件的磁化时，可以响应相对低的写入电流(224)的施加，将数据写入MRAM单元。 | ||
| 申请公布号 | CN101036195B | 申请公布日期 | 2010.05.05 |
| 申请号 | CN200580034110.9 | 申请日期 | 2005.09.27 |
| 申请人 | 爱沃斯宾技术公司 | 发明人 | 弗雷德里克·B·曼科夫;布雷德利·N·恩格尔;尼古拉斯·D·里佐 |
| 分类号 | G11C11/00(2006.01)I | 主分类号 | G11C11/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 穆德骏;黄启行 |
| 主权项 | 一种磁随机存取存储器设备，包括：磁极化器，其具有第一可变磁化；自由磁元件，其具有第二可变磁化；以及传导隔层元件，其位于所述磁极化器和所述自由磁元件之间，其中所述自由磁元件是通过使用同所述磁极化器的自旋转移相互作用的角度依赖而选择性地被编程的。 | ||
| 地址 | 美国亚利桑那州 | ||