| 发明名称 | 设有程序元件的薄膜磁性体存储装置 | ||
| 摘要 | 程序元件(180)设有，在第一与第二节点(190、195)之间电连接的磁性体层(160#)。磁性体层(160#)的至少一部分，构成设计成可通过来自外部的激光照射熔断的接线部(185)。磁性体层(160#)在与MTJ存储单元中的隧道磁电阻元件相同的层上以相同结构设置。磁性体层(160#)和第一与第二节点(190、195)之间的电接触结构，跟与MTJ存储单元中的隧道磁电阻元件和在与第一与第二节点(190、195)的各节点相同的金属布线层上设置的布线之间的电接触结构相同。 | ||
| 申请公布号 | CN1521760B | 申请公布日期 | 2010.05.05 |
| 申请号 | CN200310101563.1 | 申请日期 | 2003.10.07 |
| 申请人 | 株式会社瑞萨科技 | 发明人 | 日高秀人 |
| 分类号 | G11C11/15(2006.01)I;H01L43/00(2006.01)I | 主分类号 | G11C11/15(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 杨凯;王忠忠 |
| 主权项 | 一种薄膜磁性体存储装置，其中设有，可随机存取的多个磁存储单元，以及固定地存储信息的程序元件；所述多个磁存储单元各自包含多层结构的导电磁性体膜；所述程序元件包含，在第一与第二节点之间电连接的、可通过外部输入熔断的接线部；所述接线部由与构成所述导电磁性体膜的所述多层中的至少一层相同的层构成。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||