发明名称 |
介电陶瓷和单片陶瓷电容器 |
摘要 |
构成陶瓷烧坯的介电陶瓷具有通式100(Ba1-x-ySrxCay)m(Ti1-zZrz)O3+aBaO+bR2O3+cMgO+dMnO+eCuO+fV2O5+gXuOv(式中,R是特定的稀土元素比如La、Ce或Pr;而XuOv是至少含有Si的氧化物组)所示的组成;并且0≤x≤0.05,0≤y≤0.08(优选0.02≤y≤0.08),0≤z≤0.05,0.990≤m,100.2≤(100m+a)≤102,0.05≤b≤0.5,0.05≤c≤2,0.05≤d≤1.3,0.1≤e≤1.0,0.02≤f≤0.15和0.2≤g≤2。使用这种组成,可以制备这样的一种单片陶瓷电容器:即使在因其介电层被进一步变薄而导致被施加高电场强度的电压时,也保持良好的介电特性和温度特性,并且在实现良好的绝缘性质、介电强度和高温负载寿命上具有优异的可靠性。 |
申请公布号 |
CN101006027B |
申请公布日期 |
2010.05.05 |
申请号 |
CN200580028204.5 |
申请日期 |
2005.06.20 |
申请人 |
株式会社村田制作所 |
发明人 |
武藤和夫;中村友幸;加藤成;佐野晴信;笹林武久;平松隆 |
分类号 |
C04B35/468(2006.01)I;H01B3/12(2006.01)I;H01G4/12(2006.01)I |
主分类号 |
C04B35/468(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
陈瑞丰 |
主权项 |
一种介电陶瓷,其包含通式100(Ba1-x-ySrxCay)m(Ti1-zZrz)O3+aBaO+bR2O3+cMgO+dMnO+eCuO+fV2O5+gXuOv所示的组成,式中,R表示选自由La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu和Y组成的组中的至少一种元素;而XuOv表示至少含有Si的氧化物组,其中,0≤x≤0.05,0≤y≤0.08,并且0≤z≤0.05;0.990≤m并且100.2≤(100m+a)≤102;以及0.05≤b≤0.5,0.05≤c≤2,0.05≤d≤1.3,0.1≤e≤1.0,0.02≤f≤0.15,并且0.2≤g≤2。 |
地址 |
日本京都府 |