发明名称 介电陶瓷和单片陶瓷电容器
摘要 构成陶瓷烧坯的介电陶瓷具有通式100(Ba1-x-ySrxCay)m(Ti1-zZrz)O3+aBaO+bR2O3+cMgO+dMnO+eCuO+fV2O5+gXuOv(式中,R是特定的稀土元素比如La、Ce或Pr;而XuOv是至少含有Si的氧化物组)所示的组成;并且0≤x≤0.05,0≤y≤0.08(优选0.02≤y≤0.08),0≤z≤0.05,0.990≤m,100.2≤(100m+a)≤102,0.05≤b≤0.5,0.05≤c≤2,0.05≤d≤1.3,0.1≤e≤1.0,0.02≤f≤0.15和0.2≤g≤2。使用这种组成,可以制备这样的一种单片陶瓷电容器:即使在因其介电层被进一步变薄而导致被施加高电场强度的电压时,也保持良好的介电特性和温度特性,并且在实现良好的绝缘性质、介电强度和高温负载寿命上具有优异的可靠性。
申请公布号 CN101006027B 申请公布日期 2010.05.05
申请号 CN200580028204.5 申请日期 2005.06.20
申请人 株式会社村田制作所 发明人 武藤和夫;中村友幸;加藤成;佐野晴信;笹林武久;平松隆
分类号 C04B35/468(2006.01)I;H01B3/12(2006.01)I;H01G4/12(2006.01)I 主分类号 C04B35/468(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 陈瑞丰
主权项 一种介电陶瓷,其包含通式100(Ba1-x-ySrxCay)m(Ti1-zZrz)O3+aBaO+bR2O3+cMgO+dMnO+eCuO+fV2O5+gXuOv所示的组成,式中,R表示选自由La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu和Y组成的组中的至少一种元素;而XuOv表示至少含有Si的氧化物组,其中,0≤x≤0.05,0≤y≤0.08,并且0≤z≤0.05;0.990≤m并且100.2≤(100m+a)≤102;以及0.05≤b≤0.5,0.05≤c≤2,0.05≤d≤1.3,0.1≤e≤1.0,0.02≤f≤0.15,并且0.2≤g≤2。
地址 日本京都府