铜铟镓硒纳米线阵列及其制备方法与应用

摘要

本发明公开一种铜铟镓硒纳米线阵列及其制备方法。本发明是在玻璃或硅片基底上制备金属电极层后，利用有序纳米模板做生长掩膜在衬底上的金属电极上电沉积制备有序的纳米线结构铜铟镓硒P型吸收层材料阵列。并通过化学腐蚀或物理刻蚀的方法从上至下部分去除模板，露出纳米线阵列，该阵列可用于与N型窗口层及金属电极组成具有光电转换性能的异质结。该铜铟镓硒纳米线阵列适用于高效率、低成本太阳能电池的制备。

主权项

一种铜铟镓硒纳米线阵列，是按照包括如下步骤的方法进行制备的：1)在衬底上制备一层金属导电层；2)利用有序纳米模板作为生长掩膜，电化学沉积后退火热处理或电化学沉积后再硒化，之后再刻蚀所述生长掩膜至暴露出铜铟镓硒纳米线阵列，得到所述铜铟镓硒纳米线阵列；所述电化学沉积后退火热处理的方法是：以铂片作为阳极，金属导电层为阴极，饱和甘汞电极为参比电极，以含有Cu2+、In3+、Ga3+和Se4+的溶液作为电解质溶液，通电进行电化学沉积，沉积出的铜铟镓硒纳米线在真空、氩气气氛或含有硒的气氛下退火处理；所述电化学沉积后再硒化的方法是：以铂片作为阳极，金属导电层为阴极，饱和甘汞电极为参比电极，以含有Cu2+、In3+和Ga3+的溶液作为电解质溶液，通电进行电化学沉积，得到铜铟镓纳米线阵列，再在含有硒元素的气氛下进行硒化。