发明名称 |
硫族化合物储存器 |
摘要 |
一种储存器内核,包括一字线电极与一与该字线电极相对设置的位线电极以及一配置于该字线电极和该位线电极之间的起始开关层,其中该起始开关层具有一低电压值的第一起始电压和一高电压值的第二起始电压,该第一起始电压对应于该起始开关层的一第一储存状态,该第二起始电压对应于该起始开关层的一第二储存状态。当该字线电极与位线电极之间的电压值为该第一起始电压时,该起始开关层被选通并处于该第一储存状态,当该字线电极与位线电极之间的电压值为该第二起始电压时,该起始开关层被选通并处于该第二储存状态,当该字线电极与位线电极浮置时,该起始开关层处于非选通状态。堆叠这些储存器内核即可制造出三维储存器。 |
申请公布号 |
CN1770494B |
申请公布日期 |
2010.05.05 |
申请号 |
CN200510105365.1 |
申请日期 |
2005.09.23 |
申请人 |
旺宏电子股份有限公司 |
发明人 |
陈逸舟 |
分类号 |
H01L45/00(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I |
主分类号 |
H01L45/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 |
代理人 |
寿宁;张华辉 |
主权项 |
一种三维储存器,其特征在于包括:多数个储存器内核阵列,其中每个储存器内核同时作为一导向元件和一储存元件,包括:一字线;一位线,其与该字线相对设置;一起始开关层,由硫族化合物材料构成,配置于该字线和该位线之间,其中各储存器内核具有一低电压值的第一起始电压和一高电压值的第二起始电压,该第一起始电压对应于该起始开关层的一第一储存状态,该第二起始电压对应于该起始开关层的一第二储存状态;当该字线与该位线之间的电压值为该第一起始电压时,该起始开关层被选通并处于该第一储存状态,当该字线与该位线之间的电压值为该第二起始电压时,该起始开关层被选通并处于该第二储存状态,当该字线电极与位线浮置时,该起始开关层处于非选通状态;多个第一选择元件,分别连接各字线的一端;以及多个第二选择元件,分别连接各位线的一端。 |
地址 |
中国台湾 |