| 发明名称 | 用于制造磁控管涂覆的衬底的方法以及磁控管溅射源 | ||
| 摘要 | 为了在溅射工作期间调节沿着磁控管源上的溅射面(3s)的溅射速率分布，相应地改变磁体装置(7a，7b)的一部分(7a1，7b1)在靶背面(3R)上的距离。 | ||
| 申请公布号 | CN101031989B | 申请公布日期 | 2010.05.05 |
| 申请号 | CN200580032833.5 | 申请日期 | 2005.07.26 |
| 申请人 | OC欧瑞康巴尔斯公司 | 发明人 | J·韦查特 |
| 分类号 | H01J37/34(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I | 主分类号 | H01J37/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 卢江;魏军 |
| 主权项 | 用于制造磁控管涂覆的衬底的方法，其中沿着靶在该靶的背离所述衬底的背面上存在磁体装置，借助该磁体装置沿着所述靶的溅射面产生隧道状的磁控管磁场的至少一个自身闭合的环路，并且围绕垂直于所述靶的轴移动该磁体装置，其特征在于，为了调节溅射速率分布，改变所述磁体装置的仅仅一部分与靶背面的距离。 | ||
| 地址 | 列支敦士登巴尔策斯 | ||