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发明名称 Method of forming a phase change layer by electro-chemical deposition and manufacturing of a storage node and a phase change memory device using the method
摘要
申请公布号 EP1942534(A3) 申请公布日期 2010.05.05
申请号 EP20070150397 申请日期 2007.12.21
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. 发明人 KANG, YOUN-SEON;OH, SEUNG-JIN;SHIN, WOONG-CHUL;BACK, KAE-DONG
分类号 H01L45/00;C25D9/04 主分类号 H01L45/00
代理机构 代理人
主权项
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