发明名称 |
一种具有倒置式N电极分布的薄膜GaN基发光器件的制造方法 |
摘要 |
本发明公开了一种具有倒置式N电极分布的薄膜GaN基发光器件的制造方法,在蓝宝石衬底(0001)上依次外延生长由N型GaN基半导体层、活性层和P型GaN基半导体层构成的GaN基LED发光材料,将薄膜GaN芯片的N型欧姆接触条状电极倒置式分布在镓面N型GaN半导体上,蓝宝石衬底剥离后制作N焊盘金属并连接到N型欧姆接触条状电极上,这种倒置式N电极设计,完全避开氮极性面N型欧姆接触电极制作难的问题,并且氮极性面的N型GaN的接触电极无劣化为肖特基接触,保证薄膜GaN发光器件具有较低的工作电压。 |
申请公布号 |
CN101702420A |
申请公布日期 |
2010.05.05 |
申请号 |
CN200910229416.X |
申请日期 |
2009.10.15 |
申请人 |
厦门市三安光电科技有限公司 |
发明人 |
林雪娇;潘群峰;吴志强;叶孟欣;黄慧君 |
分类号 |
H01L33/00(2010.01)I;H01L33/38(2010.01)I;H01L33/62(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/00(2010.01)I |
代理机构 |
厦门原创专利事务所 35101 |
代理人 |
徐东峰 |
主权项 |
一种具有倒置式N电极分布的薄膜GaN基发光器件的制造方法,包括步骤:1)在蓝宝石衬底(0001)上依次外延生长由N型GaN基半导体层、活性层和P型GaN基半导体层构成的GaN基LED发光材料;2)采用干法或湿法蚀刻去除部分区域的P型GaN基半导体层、活性层,裸露出镓面N型GaN基半导体,露出的区域形成相互连通的第一凹槽;3)在P型GaN基半导体表面沉积P型欧姆接触电极;4)在第一凹槽内沉积相互连通的N型欧姆接触条状电极;5)填充绝缘材料裹住N型欧姆接触电极并与P型欧姆接触电极上表面平齐;6)在P型欧姆接触电极及绝缘材料上方沉积上焊接金属,包含Au或者Au的合金;7)经过上述步骤形成的GaN基外延膜连接到导热基板上;8)将蓝宝石衬底剥离去除,露出氮面N型GaN半导体;9)采用干法或湿法蚀刻去除部分区域的N型GaN半导体,裸露出部分N型欧姆接触条状电极、绝缘材料及剩余厚度的GaN基外延,露出的区域形成第二凹槽;10)在第二凹槽内沉积N焊盘金属;11)在导热基板下表面沉积下电极。 |
地址 |
361009 福建省厦门市思明区吕岭路1721-1725号 |