一种制作碲化镉薄膜太阳电池的工艺方法

摘要

本发明公开了一种制作碲化镉薄膜太阳电池的工艺方法。它具有方法简单，成本低，原材料利用率高等优点，它的步骤为：1)导电玻璃清洗；2)真空蒸发沉积硫化镉；3)采用气体输运沉积碲化镉；4)磁控溅射沉积铬；5)磁控溅射沉积钼；6)磁控溅射沉积铝；7)完成电池制作。

主权项

一种制作碲化镉薄膜太阳电池的工艺方法，其特征是，它的步骤为：1)导电玻璃清洗；2)真空蒸发沉积硫化镉；将步骤1清洗好的导电玻璃，放入真空镀膜机内，抽真空到0.01pa-0.0001pa，温度为室温，生长厚度为50-500nm的硫化镉薄膜；3)采用气体输运沉积碲化镉；在将生长了一定厚度硫化镉薄膜的导电玻璃，送入气体输运沉积设备中，设备抽真空到1-100pa，将导电玻璃加热到400-1000摄氏度，在沉积源中放入碲化镉粉末0.1kg-50kg，将沉积源加热到500-1000摄氏度，向沉积源通入气体，导电玻璃在沉积源下移动，沉积时间1-10分钟，生长厚度为1-10微米的碲化镉薄膜；4)磁控溅射沉积铬将步骤3中完成的工件，放入磁控溅射镀膜机内，按照磁控溅射标准工艺生长厚度为5-500nm的铬层；5)磁控溅射沉积钼在步骤4相同磁控溅射镀膜机内，按照磁控溅射标准工艺生长厚度为5-500nm的钼层；6)磁控溅射沉积铝在步骤4相同磁控溅射镀膜机内，按照磁控溅射标准工艺生长厚度为5-500nm的铝层；7)完成电池制作。